微盟电子发布的高性能六级能效SSR控制芯片ME8213最大输出功率可以到100W，待机功耗30mW@230V/50Hz。VDD电压9-65V,可以支持5-20V的电压输出，满足PD的各种电压输出应用。各方面性能优越，符合市场需求。

ME8213采用高压启动设计，芯片直接连接到高压，以提供芯片启动所需的电流，并在启动后关闭，以降低待机功耗；另外在轻载时进入PFM模式；在更轻载时进入burst模式，通过降低开关频率来减小待机功耗；同时做了音频降噪处理，以保证在正常工作状态无异音。芯片采用了独有的QR技术，减小原边Mos管的开关损耗及电压应力。芯片采用了独有的X电容放电技术及前沿消隐技术对简化外围电路及提高产品性能提供了有力的保障。

ME8213拥有的保护功能，包括过流保护（OCP）,过载保护（OLP）,欠压保护（UVLO），过压保护（OVP）,过温保护（OTP）等，以确保系统可靠的工作。

PD65W（PD/QC3.0）的系统方案

5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A应用系统原理图

PD65W(5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A输出)的样机实物图

PD65W样机的效率/待机功耗实测数据

表1：30W清单主板

表2：TYPE C

样机传导辐射测试图

输入：230V@50Hz；输出20V/3.25A

CE/N

CE/L

RE/2m

样机波形测试

输入264V/50Hz，输出20V/3.25A时，原边Vds电压波形

输入264V/50Hz，输出20V/3.25A时，同步Vds电压波形

通过以上测试数据得出以下结论：

1.ME8213和ME8415搭配可以轻松过6级能效。

2.ME8213和ME8415搭配易过EMC。

3.ME8213和ME8415搭配原边Mos和同步Mos反压尖峰较小，易于元器件的选型。